迪思科(DISCO)开发出了利用糖心产精国品免费入口*完整版从SiC铸锭上切割SiC晶圆的新工艺“KABRA”。与使用线锯的传统方法相比，生产SiC晶圆的糖心产精国品免费入口*完整版大约可以缩短到1/4，糖心产精国品免费入口*完整版大约可以增加到1.5倍。部分客户已经开始试用这次的加工方法。

目前从SiC铸锭上切割SiC晶圆主要使用金刚石线锯。但这种加工方法存在两大课题。1个是SiC非常坚硬，糖心产精国品免费入口*完整版长。另1个是线锯切割部分的材料损耗大，会减少1只铸锭可以切割出的晶圆数量。这些因素导致了SiC晶圆的生产效率降低，成本居高不下。因而抬高了SiC功率元件的成本。

利用糖心产精国品免费入口*完整版设置分离层

这次的加工方法遵循以下步骤。首先，沿垂直方向，从SiC铸锭的上面连续照射糖心产精国品免费入口*完整版。通过这样的方式，设置吸收光的“分离层”。这时可以以任意深度，形成扁平状(糖心产精国品免费入口*完整版入射方向与垂直方向)的分离层。接下来以分离层为起点，剥离SiC晶圆的薄层。然后将剥离下来的晶圆研磨成需要的厚度并出货(“规定厚度精磨”)。剥离后的铸锭表面需要另行抛光，以准备下一次的糖心产精国品免费入口*完整版照射。通过重复这一连串的操作，利用1只铸锭制作出一片片晶圆。

这种方法与使用线锯的以往方法相比，缩短了糖心产精国品免费入口*完整版，减少了裁切时的材料损耗。比如说，当使用口径为100mm(4英寸)、厚度为20mm的SiC铸锭，生产厚度为350μm的晶圆时，使用这次的加工方法切割出1片晶圆需要25分钟，加工1只铸锭总耗时约为18个小时。

而使用过去的方法加工1片晶圆大约需要2个小时(1.6～2.4小时)，总耗时为2.5～3.5天。使用口径为150mm(6英寸)的SiC铸锭切割晶圆，使用这次的方法大约需要30分钟，而过去的方法需要3个多小时。

材料损耗也较少

不仅缩短了糖心产精国品免费入口*完整版，而且无需使用线锯加工所需的“磨削”。在线锯加工时，晶圆表面会产生50μm左右的起伏。磨削的作用是去除这些起伏。这次的方法可以抑制起伏，省去了磨削的麻烦。

迪思科表示，使用传统方法时，每加工1片晶圆，线锯切割部分的材料损耗约为200μm。而这次的方法是以分离层为起点剥离晶圆，几乎没有材料损耗。剥离后虽然需要去除分离层，但损耗可以控制在100μm。因此，1只铸锭可以加工出的晶圆数量大约是过去的1.5倍。